影響低溫等離子處理機放電的匹配器的分析： ? ? ? ?低溫等離子處理機不放電或者放電忽高忽低，通常是阻抗匹配出現了情況。等離子發生器在能量傳遞中，如果反應腔和電極（以下簡稱負載）阻抗和傳輸線特征阻抗不相等，在傳輸過程中會發生反射，部分能量通過加熱丟失，而不是所有能量被低溫等離子體處理器的負載吸收，將會直接關系等離子體表面處理的成效。 ? ? ? ?在高頻放電回路中，為了保證用于放電區的功率消耗保護振蕩器，常規的做法就是在高頻電源與等離子腔體、電極之間設置阻抗匹配網絡，以便按不同放電條件進行調節，使高頻發生器的輸出阻抗與負載阻抗能夠匹配，讓等離子清洗機放電穩定，工作效率高。 ? ? ? ?影響低溫等離子處理機匹配效果的幾個主要因素，低溫等離子處理機的匹配器，就好比是等離子發生器的伴侶，兩者要相互匹配，不可用小功率的匹配器去適應大功率的等離子發生器，除此之外，要想等離子清洗機取得理想的匹配效果，還需注意以下幾個方面。 1.在設計低溫等離子處理機的反應腔體和電極的時候，要與匹配器供應商充分溝通相關技術參數，以滿足plasma的匹配要求； 2.低溫等離子處理機在安裝匹配器的時候，應盡量靠近反應腔體和電極，縮短連線，減少功率損耗； 3.氣體流量、真空度、處理的產品材質和數量等因素都可能影響阻抗匹配，需根據實際情況做調整。 ?

線性plasma設備清洗對鋁合金材的特性的影響： ? ? ? ?線性plasma設備處理是保護鋁表面未知特性的有效措施。鋁的表面處理可以保持鋁及其合金的原始性能，提高其表面保護和裝飾性能。鋁表面處理技術不是一種單一的技術，而是一個系統的工程。它是各種機械處理工藝和化學表面預處理工藝與各種表面膜和涂層工藝的結合。 鋁基底膜預處理的目的是增加鋁涂層的附著力，增加鋁涂層的屏障效果，提高鋁涂層的均勻性。在等離子體預處理過程中，對基底膜表面進行清洗和激活，即對基底膜表面進行化學改性，使鋁金屬原子的附著力更強。 鋁合金表面處理工藝 鋁合金表面處理工藝中線性plasma設備的優點及特點： 1.有足夠的等離子體清洗機“在線”原加工工藝操作不影響綜合工作能力； 2.等離子清洗機環保、節能、省錢、環保； 3.鋁箔的機械性能不會改變； 4.有目的地清理某些區域； 5.標準加工間距 6.鋁箔間距可選； 7.鋁箔正反面可加工； 8.卷繞設備前可集成加工工藝。 ? ? ? ?鋁金屬材料線性plasma設備處理可消除原材料表面的微觀污染物，氧化物和其他成分。等離子體清洗機工作效率高，該領域廣泛應用于操作方便等優點。 ? ? ? ?線性plasma設備的清洗原理主要有三個步驟：粘附、活化和清潔。附著力是指提高物體表面的附著力，提高表面粘結的可靠性；激活是通過大大提高表面濕度來形成活性表面；清潔主要包括去除小灰塵、激活按鈕和精細清潔。噴涂鋁合金前，需要清潔等離子體。增加產品表面的清潔度可以顯著提高表面的活性，從而提高附著力。

CRF電漿清洗機與催化劑協作對CH4和CO2轉化率影響分析： ? ? ? ?過渡金屬氧化物是工業催化劑中非常重要的一種催化劑，由其發起的多相催化反應，一般是由催化劑的酸堿作用或氧化還原作用進行的。一般催化條件下或plasma在等離子體催化聯合作用下，甲烷反應(oxidativecouplingofmethane，OCM)討論結果表明，大多數過渡性金屬氧化物催化劑具有較強的催化作用，結合早期CRF電漿清洗機催化下甲烷脫氫反應的工作經驗，選擇過渡金屬如Mn，Fe，Co，Ni制備其負載金屬氧化物催化劑，討論負載過渡金屬氧化物催化劑和CRF聯合作用下的電漿清洗機CO2氧化CH4制C二烴反應的催化作用。NiO/Y-Al203等十種過渡金屬氧化物催化劑與plasma等離子體聯合作用下甲烷轉化率的順序為： NiO/Y-Al2O3>ZnO/Y-Al2O3≈MoO3/Y-Al2O3>Re2Q7/Y-Al2O3>TiO2/7-Al2O3≈Cr2O3/Y-Al2O3≈Mn2O3/Y-Al2O3>Na2WO4/Y-Al2O3≈FeO3/Y-Al2O3>Co2O2/Y-Al203。 CO2轉化率的順序為： Ni0/Y-Al2O3>TiO2/Y-Al2O3>Co2O3/Y-Al2O3>Na2WO4/Y-Al2O3≈Fe2O3/Y-Al2O3>Re2O7/Y-Al2O3≈Cr2O3/Y-Al2O3>Mn2O3/Y-Al2O3≈MoO3/Y-Al2O3>ZnO/Y-Al2O3?？梢娫谙嗤瑢嶒灄l件下，上述十種催化劑與CRF電漿清洗機聯合作 ? ? ? ?用對CH4、CO2轉化率影響不同，且不同于單純等離子體作用下CH4和CO2轉化率(分別為26.7%和20.2%)。NiO/Y-AL2O3與等離子體聯合作用下甲烷和二氧化碳轉化率較高(分別為32.6%和34.2%)，Co2O3/Y-Al2O3和ZnO/Y-Al203則給出了較低的甲烷和二氧化碳轉化率(分別為22.4%和17.6%)，前者比后者分別高出10.2%和16.6%。說明催化劑在不同程度上參與了CH4和CO2的C-H鍵和C-O鍵斷裂過程。 ?

常壓plasma噴涂圓盤狀單片層和襯底之間讓結合更牢固： ? ? ? ? 在常壓plasma噴涂工藝中，粉末顆粒被載氣送，入高溫高速的plasma焰流，經加熱和加速，以熔融或半熔融的狀態高速濺射襯底，迅速鋪展并冷卻固化，終形成扁平的單片層，大量單片層不斷堆疊終形成宏觀尺度的涂層。常壓plasma噴涂涂層的特征單元，單片層的形貌特征及單片層之間的堆疊行為決定了涂層的微結構。單片層是熱噴涂制備涂層的結構基元，其特征與涂層的宏觀性能密切相關。 ? ? ? ? 常壓plasma噴涂工藝可控制備涂層的難點在于，工藝中需要控制的因素很多，且往往相互影響。熔滴高溫、高速和理化狀態分布廣等特性，給實時觀測和工藝調控也帶來了很大的挑戰。常壓plasma噴涂工藝中單片層的形成過程主要是受到熔滴冷卻能力的控制。熔滴冷卻速率快，則液態物質流動性降低快，傾向于形成圓盤狀的單片層;反之則具有較強的濺射趨勢。 ? ? ? ? 單片層外形的改變帶來的一個與涂層性能密切相關的差異是：圓盤狀單片層和襯底之間的結合更牢固，而濺射狀單片層和襯底的結合強度相對較低。更可靠的原位溫度、速度監測，特別是能追蹤單個熔滴的溫度和速度測量無疑是研究工藝參數對單片層特點影響的直接有效的方法。單片層的形貌特點數據化并使之與涂層整體性能間建立(半)定量關系也是未來發展的一個重要方向。 ?

電漿清洗機CMOS工藝中應用于集成電路制造中WAT方法研究： ? ? ? ?WAT即硅圓片接收測試，就是在半導體硅片完成所有的制程工藝后，對硅圓片上的各種測試結構進行電性測試，它是反映產品質量的一種手段，是產品入庫前進行的一道質量檢驗。 ? ? ? ?隨著半導體技術的發展，等離子體技術已廣泛應用于集成電路制造、離子注入、干刻蝕、干去膠、UV等離子體損傷可能導致輻射薄膜積累等WAT無法監測結構，可能導致設備早期故障。等離子體工藝廣泛應用于集成電路制造中，比如等離子體刻蝕、電漿清洗機增強式化學氣相淀積、離子注入等。它具有方向性好、反應快、溫度低.均勻性好等優點。 ? ? ? ? 但是它也同時帶來了電荷損傷，隨著柵氧化層厚度的不斷降低，這種損傷會越來越影響到MOS器件的可靠性，因為它可以影響氧化層中的固定電荷密度、界面態密度、平帶電壓、漏電流等參數。帶天線器件結構的大面積離子收集區(多晶或金屬)一般位于厚的場氧之上，因此只需要考慮薄柵氧上的隧道電流效應。大面積的收集區稱為天線，帶天線器件的隧道電流放大倍數等于厚場氧上的收集區面積與柵氧區面積之比，稱為天線比。 ? ? ? ? 如果柵氧區較小，而柵極面積較大，大面積柵極收集到的離子將流向小面積的柵氧區，為了保持電荷平衡，由襯底注人柵極的隧道電流也需要隨之增加，增加的倍數是柵極與柵氧面積之比，放大了損傷效應，這種情況稱為“天線效應”。對于柵注入的情況，隧道電流和離子電流之和等于電漿清洗機中總的電子電流。因為電流很大，即使沒有天線的放大效應，只要柵氧化層中的場強能產生隧道電流，就會引起等離子體損傷。 ? ? ? 在正常的電路設計中柵端一般都需要開孔經多晶或金屬互連線引出做功能輸入端，就相當于在薄弱的柵氧化層上引入了天線結構，所以在正常流片及WAT監測時所進行的單管器件電性測試和數據分析無法反映電路中實際的電漿清洗機損傷情況。氧化層繼續變薄到3nm以下，基本不用再考慮充電損傷問題，因為對于3nm厚度的氧化層而言，電荷積累是直接隧穿越過氧化層勢壘，不會在氧化層中形成電荷缺陷。

管件電纜等離子火焰處理機表面處理增強非極性塑料界面張力： ? ? ? ?管件電纜具有較低的界面張力，部能很好地粘附于涂料表面。利用等離子火焰處理機表面處理，可以在許多情況下(事實上是所有情況下)大限度地增強界面張力，從而達到倆想的粘附效果。 一、管件電纜類等等離子火焰處理機理機對材料表面進行等離子體清洗激活，然后蝕刻塑料電纜。這可以增加它們表面能。當清洗管件時，主要增大表面積，這樣可以促進良好的粘結。 二、等離子火焰處理機清洗活化工藝： o2等離子體對非極性塑料界面張力的提高作用明顯。原因在于，通過氧自由基的高反應活性，形成極性鍵，而極性鍵構成了涂覆液體的粘附點。這樣，界面張力就增大，潤濕就加快從而提高粘接附著力。 ? ? ? ? 誠峰智造是一家專業生產大氣常壓、真空、在線寬幅、微波等離子火焰處理機和電漿清洗機，同時還有除塵的USC干式超聲波清洗機，支持非標定制，可免費寄樣測試，免費試機測試，歡迎致電咨詢或加微信。