誠峰智造真空等離子設備的日常檢查和維保的具體步驟： 平常如何解決日常使用中遇到的這些關于真空等離子設備的問題的呢？ 第一，真空等離子設備在進行任何維修或保養之前，所有相關的安全預防措施都應采取，而不限于本使用手冊所述。要關閉設備電源開關，切斷總電源保護器，關閉所有的煤氣，準備必要的工具包。 第二，真空腔與真空等離子設備的維護 A、真空腔和電極板是處理工件的工作區域，當工件使用到一定時間后，腔體內仍有部分污物附著在電極板和腔壁上。處置方法：連續使用一個月后，用無塵布(紙)沾酒精清洗所有的電極板和腔壁，保持腔壁清潔。 B、觀察窗是指工作人員在工作時觀察空腔內放電的窗口，在使用一段時間后，窗口玻璃表面產生的微蝕會使觀察窗變得模糊。使用無塵布料(紙)，沾上酒精或丙酮，清洗玻璃或直接更換真空玻璃。 C、誠峰智造真空泵中使用的油為防氧化專用油，及時更換對真空泵的正常工作有利，延長泵體的使用壽命，建議每隔三個月更換一次，要經常注意觀察真空泵內的油量是否充足，油面若低于使用下限(油面計旁有明顯標志)，應及時給泵注入新油，直至正常使用。

FPC柔性電路玻璃基板用誠峰plasma表面清洗表層的污染物： ? ? ? ? 在LCD面板行業，加工過程中，熱壓法適用于觸控屏、筆記本電腦顯示屏等產品與柔性薄膜電路的連接。柔性薄膜電路通過加熱和壓力直接附著在皮帶上LCD接線點的玻璃。這一過程需要清潔玻璃平面，但玻璃表面在實際生產和儲存過程中易受環境污染，影響到后續的表面制作工藝的品質。 ? ? ? ? 在把裸芯片IC安裝玻璃基板(LCD)上的COG鍵合后高溫硬化芯片時，在鍵合填料表面形成基底涂層。Ag漿液等連接劑的溢流成分環境污染粘接填料。如果等離子體可以在熱壓綁定前清洗，熱壓綁定的質量可以大大提高。此外，由于襯里和裸芯片IC提高表面潤濕性，LCD&MDASH；還可以提高COG模塊的附著力也可以減少線路的腐蝕。 ? ? ? ? ?當材料表面對清潔度要求較高時，涂層應通過表面激活、沉積和等離子體激活，以免損壞材料表面的清潔度。等離子體激活后，水滴對材料表面的潤濕效果明顯強于其他處理方法。我們用plasma表面清洗手機屏幕，發現plasma表面清洗后的手機屏幕表面完全浸泡在水中。 ? ? ? ?目前裝配技術的主要趨勢是SIP，BGA和CSP包裝使半導體設備朝著模塊化、高度集成和小型化的方向發展。電加熱過程中形成的有機污染和氧化膜是包裝和裝配過程中的主要問題。由于粘合劑表面污染物的存在，這些部件的粘合強度和包裝樹脂的密封強度直接影響到這些部件的裝配水平和可持續發展。每個人都在努力處理它們，以提高這些部件的裝配能力。 實踐證明，plasma表面清洗技術的引入可以大大提高包裝的可靠性和成品率。等離子體設備的優點是表面清潔、表面改性和產品性能。 ? ? ? ??

CRF電漿清洗機的控制單元、腔體和真空泵的選擇指南： ? ? ? ? CRF電漿清洗機廣泛應用于微觀納米清洗、刻蝕、噴涂、接枝化和表面沉積性等場合。通過其處理,能夠改善材料表面的潤濕能力,使多種材料能夠進行涂覆等作業,增強粘合力、鍵合力,與此同時清除有機污染物、油污或油脂。CRF電漿清洗機是依靠利用其活性組分的性質來處理樣品表面,從而實現清潔等目地。plasma等離子清洗機可用于清洗、刻蝕、活化和表面準備等。等離子體和固體、液體或氣體一樣,是介質的一種狀態,也被稱為物質第四態。對氣體增加充分的能量使之離化便成為了等離子狀態。等離子體的”活性”組分包括:離子、電子、活性基團、激發態的核素(亞穩態)、光子等。CRF電漿清洗機是依靠利用其活性組分的性質來處理樣品表面,從而實現清潔、改性、光刻膠灰化等目地。 CRF電漿清洗機的結構主要分為三個大的部分組成，分別是控制單元、真空腔體以及真空泵。 一、控制單元 國內的CRF電漿清洗機，包括國外進口的，控制單元主要分為半自動控制、全自動控制、PC電腦控制、液晶觸摸屏控制四種方式。而控制單元又分為兩個大的部分： 1）電源部分：主要電源頻率有三種，分別是40KHz、13.56MHz、2.45GHz，其中13.56MHz是需要電源匹配器的。 2）系統控制單元：分三種，按鈕控制（半自動、全自動）、電腦控制、PLC控制(液晶觸摸屏控制)。 二、真空腔體 真空腔體主要是分為兩種材質的： 1）不銹鋼真空腔體。 2）石英腔體。 三、真空泵 真空泵分為兩種： 1）干泵。 2）油泵。

為啥說CRF等離子清洗設備濺射工件表面不會影響其性能： ? ? ? ? ?CRF等離子清洗設備選用高頻電源能夠提高工件表面的粘合力，親水性，通過去除有機污染物，在表面介入極性有機官能團，提高表面親水性及表面潤濕性能，是徹底地剝離式干式清洗，真空等離子表面處理設備處理后不會在工件表面產生損傷層，材料表面質量得到保證。 ? ? ? ? CRF等離子清洗設備清洗采用O2和AR，產生能量，當有足夠的能量就可以打開PTFE的碳氟鍵，同時又有活性基團替代掉氟原子時，PTFE聚四氟乙烯也就變成了極性高聚物，表面能得到提升，親水性得以改善。 根據所處理的PTFE產品不同的形狀、處理目的和要求會有所區別。例如薄膜類材料適用采用卷對卷的等離子設備；板材類材料適用采用水平或者是垂直的電極結構的等離子清洗機。對CRF真空等離子清洗設備控制參數的把控，對處理PTFE聚四氟乙烯材料有重要影響。 ? ? ? ? CRF等離子清洗設備包括低壓真空設備和常壓設備，前者可以通入不同的工藝氣體，調配多項控制參數，相對適用處理PTFE聚四氧乙烯。 ? ? ? ? ?CRF等離子清洗設備也叫清潔機，或者是plasma，是種嶄新的先進科技，使用等離子體來達到普通清洗方法不能達到的實際效果。等離子體是物質的一種狀態，也叫做物質的第四態，并不屬于常見的固液氣三態。對氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態。等離子體的“活性”組分包括：離子、電子、原子、活性基團、激發態的核素（亞穩態）、光子等。如果在真空等離子表面處理設備放電氣體中引入反應性氣體，那么在活化的工件表面會發生復雜的化學反應，引入新的官能團，如烴基、氨基、羧基等，這些官能團都是活性基團，能明顯提高材料表面活性。一般材料經NH3.O2.CO.Ar.N2.H處理后接觸空氣的2等氣體等離子體將在表面引入—COOH等基團，增加其親水性。 ?

等離子體表面處理儀噴射下丙烷和丁烷的轉化等離子的研究： ? ? ? ? 丙烷是天然氣、油田氣及煉廠氣的主要成分。丙烷為飽和烷烴，直接的利用經心濟價值低；而丙烯卻有著較大的缺口，因此研究丙烷烯烴化是十分必要。我國有豐富的天然氣及石油資源，隨著它們不斷地被開發利用，天然氣、油田氣和煉廠氣中丙烷急劇增加，因而開發由丙烷制取丙烯技術，對合理利用丙烷及開辟丙烯新來源具有重要的意義。目前，丙烷脫氫反應主要有3種方式：丙烷高溫蒸氣裂解、丙烷催化脫氡和丙烷氧化脫H。丙烷高溫蒸氣裂解脫H的丙烯收率太低，丙烷催化脫氫反應的丙烷離化太低；丙烷氧化脫H可以打破該實驗的熱力學壁壘，從理論上講可以獲得較高的選擇性和收率。 ? ? ? ? 當前的氧化劑主要有O2和CO2兩種，O2作為氧化劑進行氧化脫H，由于氧的高活潑性導致其副產物較多；丙烯選擇性較低，往往采用較溫和的氧化劑CO2，可以充分利用豐富的CO2資源，減少環境污染，所以近年來得到較多的關注。逆水氣體轉換反應與丙烷直接的脫H耦合，即CO2.作為氧化劑氧化丙烷制造丙烯，一方面可以通過移動丙烷直接的脫H的熱力學平衡獲得更高的烯烴選擇性；另一方面，它利用了全球溫室效應CO2、因此具有較強的應用前景。但目前重要的問題是找到一種合適的催化劑來制造CO2氧化C3H可以更好地進行反應。 ? ? ? ?丙烷在單純等離子體表面處理儀作用下主要產物是C2H2丙烷離化和C2H2收率隨plasma等離子體能量密度的增加而增大。0ES在線檢測的活性物種主要是H和甲基自由基，說明丙烷在等離子體中主要發生C-C鍵的斷裂，其次才是C-H鍵的斷裂。丙烷在等離子體與Ce4.34-Ni2.75-Zn-O/Y-Al203催化劑共同作用下的主要產物依然是乙炔，但有少量丙烯生成說明在此反應中等離子體活化起主導作用，而Ce4.34-Ni2.75-Zn-O/Y-Al203催化劑僅起到調變作用。 ? ? ? ?正丁烷在單純等離子體表面處理儀作用下主要產物是C2H2，這源于C-C鍵的鍵能低于C-H鍵的鍵能，在等離子體表面處理儀作用下C-C鍵優先斷裂形成CHx活性物種，其進一步反應優先生成C2H2。

CRF等離子蝕刻機對金剛石發生Raman散射熒光增強的因素探究： ? ? ? ?熒光標記對生物醫學生物傳感、材料科學等方面都是非常有效的檢測手段。羅丹明、熒光素、吖啶、菁等傳統的有機熒光染料分子易出現團聚(微米級)不易進入細胞。熒光素類標記物易與同類物種間發生能量轉移，隨著標記量增大熒光信號反而降低，導致自猝滅。 ? ? ? ?金剛石既發熒光又無光致漂白現象，高生物相容性且無毒、大比表面積，更易于與抗體結合形成熒光標記物進行靶向標記，被廣泛的應用到DNA無損檢測以及免疫分析中。 ? ? ? ?將綠色熒光金剛石納米顆粒與免疫細胞復合物結合，實現利用不同染色劑進人活細胞進行標記。將納米金剛石附在蛋白質上，利用納米金剛石結構自組形成環形結構量子，成為觀察和了解細胞的工具。然而，現有的金剛石熒光檢測不足以滿足全部檢測需求，需要通過提高熒光強度，進一步擴大其應用范圍。 ? ? ? ? 染料分子在電磁場增強和化學增強的共同作用下，總的增強因子在103~104范圍內，分子在間隙中形成“熱點”,CRF等離子蝕刻機對其表面增強拉曼散射及熒光光譜，所探測的分子濃度為10-1mol/L,有望用于生物單分子檢測。利用金屬能帶理論對金屬表面的光致發光光譜。對頂三角形狀的納米天線陣列提高熒光分子距離進行仿真，使熒光得到增強，與之相比CRF等離子蝕刻機共振技術更加高效、簡便、快捷。